La compañía IBM está abocada al desarrollo de un transistor súper ligero. El componente es 100 veces más rápido que los actuales y podrá utilizarse en dispositivos móviles y computadoras. La Big Blue logró alcanzar velocidades record con este componente usando germanio junto al silicio con el que se fabrica habitualmente. Con este paso, la compañía busca exprimir al máximo las potencialidades del silicio. Al respecto, Bernie Meyerson, director de la investigación sobre semiconductores en IBM agregó: "Lo que hemos hecho en los últimos años es llevar la tecnología del silicio hasta sus límites".

Los transistores se encuentran en casi todos los dispositivos electrónicos de hoy en día, por lo que su desarrolló influye en tales. La empresa IBM desarrolla un transistor 100 veces más rápido que los actuales, y que podrá usarse en dispositivos móviles y en computadoras.

Según el diario El País: "IBM ha logrado alcanzar velocidades record con este componente usando germanio junto al silicio con el que se fabrica habitualmente". Con este paso, la compañía busca exprimir al máximo las potencialidades del silicio.

Los orígenes del transistor, según Wikipedia, datan de diciembre de 1947, cuando en los Laboratorios Bell de Estados Unidos, John Bardeen, Walter Houser Brattain, y William Bradford Shockley, desarrollaron el transistor bipolar. Este reemplazaría a la válvula termoiónica de tres electrodos, conocida con el nombre de tríodo, por tener en su interior tres componentes: filamento, grilla, y placa.

El transistor de IBM alcanzó una velocidad de 500 Gigahertz, en condiciones de laboratorio. El País informó que los resultados se concretaron “cuando la temperatura del transistor se situó en el cero absoluto”, mientras que a temperatura ambiente alcanzaba los 300 Gigahertz.

fuente y nota completa: canal-ar

lástima que aca no llegan ni los anteriores... (digo para desarrollo).... nos tenemos que conformar con unos de hace un par de años.....

saludos....